英特尔正争取超过100亿美元补贴，成为美国《芯片法案》最大受益者
在2021年主题为“英特尔发力：以工程技术创未来”的全球直播活动中，CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）宣布推行“IDM 2.0”战略。由面向大规模制造的全球化内部工厂网络、扩大采用第三方代工产能和打造世界一流的英特尔代工服务（IFS）三部分组成。随后英特尔就开始大规模扩张产能，其中一个原因是获得当地政府的补贴，比如在美国就受益于《芯片法案》及国防部的项目。据相关媒体报道，英特尔正在争取超过100亿美元的补贴，如果获得批准，将成为美国《芯片法案》最大受益者。英特尔的潜在财务方案包括了贷款和直接拨款，具体的分配比例还在谈判之中，属于《芯片法案》390亿美元直接拨款和750亿美元贷款和担保的一部分。自2021年起，英特尔在美国有多个新建项目正在进行中，包括：亚利桑那州的Fab 52和Fab 62将采用Intel 20A工艺制造芯片，投资额为200亿美元，预计2024年投入使用；两间晶圆厂位于俄亥俄州，采用的使Intel 18A/20A工艺，投资额同样为200亿美元，计划2025年开始大规模生产，如果完成整个项目需要超过1000亿美元；新墨西哥州里奥兰乔的Fab 9工厂，用于先进半导体封装技术，投资额为35亿美元，上个月开始投入运营。目前美国商务部已经向部分公司发放了资金量较少的《芯片法案》拨款，预计在未来几个月内将公布更多实质性内容。
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